中国科学院上海光学精密机械研究所林楠研究员带领团队，绕过二氧化碳激光，使用固体激光器技术成功开发出LPP-EUV光源，已经达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义。

　　林楠长期从事集成电路制造光刻光源以及芯片量检测光源研发与工程应用研究，拥有十余年大规模集成电路制造与测量设备科研、工程项目研发和管理经验, 截止目前申请/授权美、日、韩等国国际专利110余项，多项专利已完成产品转化搭载在最新型光刻机及量检测设备中。瑞典隆德大学硕士，师从2023诺贝尔物理学奖得主Anne lHuillier院士，巴黎萨克雷大学与法国原子能署联合培养博士、瑞士苏黎世联邦理工大学博士后。

　　今年2月，林楠团队在《激光与光电子学进展》第3期杂志发表封面论文，提出了一种基于空间束缚激光锡等离子体的宽带极紫外光高效产生方案，可用于先进节点半导体高通量量测，该方案获得了高达52.5%的转换效率，是迄今为止报道的极紫外波段最高转换效率，与目前商用的高次谐波光源相比转换效率提升约6个数量级。这一研究为国产光刻量测层面提供更多的新技术支持。

　　如今，林楠团队更进一步，建立了一个基于固态激光器的平台，与ASML的工业光刻设备不同，后者使用来自二氧化碳驱动技术的光将电路图案转移到硅和其他基板上。

　　“即使转换效率只有3%，固态激光驱动的 LPP-EUV 光源也能提供瓦级功率，使其适用于 EUV 曝光验证和掩模检查。”论文中指出，虽然商用二氧化碳激光器功率很高，但它们体积庞大，电光转换效率低，而且运行和电力成本高昂。而固体脉冲激光器近十年来取得了快速发展，目前已达到千瓦级的功率输出，未来有望达到10倍以上。

　　需要说明的是，目前固体激光驱动等离子体EUV光源，或者说1 μm固体激光驱动Sn等离子体EUV光源的研究仍处于初期实验阶段，还未完全走向商业化。

　　林楠团队在论文中提到，结果显示，当激光峰值功率密度逐渐升高时，实现了高达3.42%的CE，该结果处于国际靠前水平，其所建立的LPP-EUV 光源实验平台和相关研究结果，

　　值得一提的是，在本月的一次投资者电话会议上，ASML首席财务官戴厚杰表示，

　　最新年报内容显示，2024年，ASML实现净销售额282.63亿欧元，同比增长2.55%，创下历史新高。净利润为75.71亿欧元，较2023年降低了3.4%。其中，中国成为ASML第一大市场，销售额达到101.95亿欧元，占其全球总营收的36.1%。

　　ASML总裁兼首席执行官傅恪礼早前曾表示，

　　戴厚杰强调，在当前半导体出口管制和关税下，中国市场需求依然强劲。他相信，2025年，ASML中国区的销售额占总收入比重将略高于25%。

　　针对美国胁迫荷兰政府对华进行科技封锁的相关情况，中国外交部发言人此前曾回应称，中方一贯反对美国泛化国家安全概念，以各种借口胁迫其他国家搞对华科技封锁。半导体是高度全球化的产业，在各国经济深度融合的背景下，美方有关霸道、霸凌行径严重违背国际贸易规则，严重破坏全球半导体产业格局，严重冲击国际产业链供应链的安全和稳定，必将自食其果。中方敦促荷方，秉持客观公正立场和市场原则，尊重契约精神，以实际行动维护中荷两国和双方企业的共同利益，维护国际产业链供应链的稳定和自由、开放、公正、非歧视的国际贸易环境。中方将密切关注有关动向，坚决维护自身合法权益。